零件知識專欄 — 線性式直流電源轉換 Part II
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積層陶瓷電容(MLCC)概念
- 極低串聯等效電組 (ESR)
- 電容量隨著直流偏壓變化
電容量的正確性、ESR對Zero頻率點的影響,將左右了電路穩定。
MLCC ESR 曲線圖
MLCC 的尺寸、內電極層數、內電極材料..等影響ESR,且ESR並非常數,其會隨著頻率而變化。
Stable 定義
切 Gain 0dB,離-180°還有幾度
期望-20 dB/decade斜率切0dB
LDO > 30°、PWM > 45°
Gain Margin
切 Phase -180°,Gain負多少dB
6dB < |GM|
Bandwidth
切 Gain 0dB的頻率
寬:反應快、易振盪
窄:反應慢、穩定
Standard NPN regulator 波德圖
先天穩定,Phase Margin > 30° → Stable
PNP LDO 波德圖
先天不穩定,Phase Margin = 0° → Unstable,需要內外部補償
Feed-Forward Capacitor 補償
Standard NPN regulator 先天穩定,所以在線路Layout 或許不用預留外擺的補償電容。如果在LDO,尤其PMOS or NMOS先天不穩定,則除了LDO IC 內部設計補償以外,另外可透過外部Feed-Forward Capacitor (CFF) 補償,CFF 補償能力跟VOUT有關。
LDO 規格書的陷阱
盡信書不如無書;盡信規格「書」,比較容易「輸」。需確認的項目如下:
- 規格書建議電路是否有模擬、實作、量測…,判定Pass的標準是什麼?
- 電路模擬的C、ESR、ESL填寫的依據?電容規格書的值與實際應用值有很大落差。
- 模擬負載填寫的依據?怎樣是較嚴苛、相對安全的模擬設計?
- 建議線路上的輸出電容是哪種電容?液態、固態、積層陶瓷,即使同樣的電容量,但實際值有巨大誤差。
- 實際系統PCB零件布局,在主IC的Bypass MLCC電容,與LDO輸出電容的距離是否夠遠。
一次嚴謹的設計量測,可以減少整體公司潛在的風險。
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